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Tipo do documento: Dissertação
Título: Localização em poço quântico de Ga_(1-x)Al_(x)AsGaAs com campo magnético inclinado intenso
Título(s) alternativo(s): Localization of quantum well Ga_(1-x)Al_(x)AsGaAs with tilted intense magnetic field
Autor: Dourado, Tiago Pereira 
Primeiro orientador: Lima, Ivan Costa da Cunha
Primeiro coorientador: Cabral, Erika Dias
Primeiro membro da banca: Fonseca, Raul José da Silva Câmara Maurício da
Segundo membro da banca: Boselli, Marco Aurélio
Resumo: Nesta dissertação, apresentamos resultados da análise de um gás de elétrons bidimensional, confinado em um poço quântico parabólico de Ga_(1-x)Al_(x)As com campo magnético aplicado inclinado e intenso. Mostramos uma solução analítica exata para o caso de um gás de elétrons não interagente e provamos que o fator de Landé efetivo g*, que neste caso varia com a posição devido à própria variação da concentração de Al na liga GaAlAs, também contribui com um termo parabólico nas frequências normais, tornando-as dependente do spin. O termo normal do splitting Zeeman aparece, no entanto, com um fator g dado por aquele do GaAs. Indo além desse tratamento, incluímos um campo elétrico externo, aplicado paralelamente a direção de crescimento, de modo a modular a distribuição de cargas dentro do poço, e com isso controlar externamente os efeitos dos cruzamentos dos níveis. Calculamos numericamente os níveis de energia no poço parabólico quântico, variando o campo magnético aplicado e a inclinação do campo.
Abstract: In this thesis we present our results for the calculation of the states of a twodimensional electron gas, confined inside a Ga_(1-x)Al_(x)As parabolic quantum well and submitted to a tilted intense magnetic field. We present an exact analytical solution for the case of a non-interacting electron gas. We demonstrate that the effective Landé's factor, g*, which depends on the Al concentration and, therefore, on position, contributes also to the natural frequencies involved, providing spin-polarized states, besides of the polarization of the Zeeman splitting, this one given by the G-fator of GaAs. Extending our work beyond this treatment, we included an external electric field along the growth direction, in order to modulate the charge distribution inside the well, controlling, in that way, the crossing of the energy levels. Numerical calculation are provided for several values of the tilt angle and the intensity of the magnetic field.
Palavras-chave: Parabolic quantum well
Spintronics
Semiconductor nanostructures
Landau levels
Poço quântico parabólico
Spintrônica
Nanoestruturas semicondutoras
Níveis de Landau
Área(s) do CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
Idioma: por
País: BR
Instituição: Universidade do Estado do Rio de Janeiro
Sigla da instituição: UERJ
Departamento: Centro de Tecnologia e Ciências::Instituto de Física Armando Dias Tavares
Programa: Programa de Pós-Graduação em Física
Citação: DOURADO, Tiago Pereira. Localização em poço quântico de Ga_(1-x)Al_(x)AsGaAs com campo magnético inclinado intenso. 2013. 60 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, 2013.
Tipo de acesso: Acesso Aberto
URI: http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/12947
Data de defesa: 30-Abr-2013
Aparece nas coleções:Mestrado em Física

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