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http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/17062
Tipo do documento: | Tese |
Título: | Fotoluminescência, fotoacústica e características estruturais do semicondutor Zn₂TiO₄:Ni²⁺ |
Título(s) alternativo(s): | Photoluminescence, photoacoustic and structural characteristics of the semiconductor Zn₂TiO₄:Ni²⁺ |
Autor: | Gomes, Luiz Pedro Vieira ![]() |
Primeiro orientador: | Sosman, Lilian Pantoja |
Primeiro coorientador: | Pedro, Sandra da Silva |
Primeiro membro da banca: | Fonseca, Raul José da Silva Câmara Maurício da |
Segundo membro da banca: | López Giménez, Ada Petronila |
Terceiro membro da banca: | Cella, Norberto |
Quarto membro da banca: | Gomes, Gustavo Foscolo de Moura |
Quinto membro da banca: | Dias Filho, Jose Higino |
Resumo: | Nessa tese é apresentada a síntese e a investigação de amostras cerâmicas semicondutoras do composto Zn₂TiO₄ contendo íons Ni²⁺ como impurezas. As amostras foram sintetizadas por reação de estado sólido entre os reagentes ZnO, TiO₂ e Ni(OH)₂. As fases cristalográficas foram identificadas através da Difração de Raios X e a caracterização óptica das amostras foi obtida com as técnicas de Fotoluminescência, Excitação e Fotoacústica, em temperatura ambiente e pressão atmosférica, com as quais foram determinados os níveis de energia e as respectivas transições, o tempo de decaimento da emissão, a eficiência quântica da luminescência, o tipo e a energia do gap do semicondutor. |
Abstract: | This thesis presents the synthesis and investigation of semiconductor ceramic samples of Zn₂TiO₄ compound containing Ni²⁺ ions as impurities. The samples were synthesized by solid state reaction between the reagents ZnO, TiO₂ and Ni(OH)₂. The crystallographic phases were identified through X-ray diffraction and the optical characterization of the samples was obtained with the techniques of Photoluminescence, Excitation and Photoacoustic, at room temperature and atmospheric pressure, with which the energy levels and the respective transitions, the time emission decay, the luminescence quantum efficiency and the type and energy of the semiconductor gap were determined. |
Palavras-chave: | Photoluminescence Electronic excitation Semiconductors X-Ray Diffraction Excitation Ni²⁺ Fotoluminescência Excitação eletrônica Semicondutores Raios X - Difração Excitação Ni²⁺ |
Área(s) do CNPq: | CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA::ESTRUTURA DE LIQUIDOS E SOLIDOS; CRISTALOGRAFIA |
Idioma: | por |
País: | Brasil |
Instituição: | Universidade do Estado do Rio de Janeiro |
Sigla da instituição: | UERJ |
Departamento: | Centro de Tecnologia e Ciências::Instituto de Física Armando Dias Tavares |
Programa: | Programa de Pós-Graduação em Física |
Citação: | GOMES, Luiz Pedro Vieira. Fotoluminescência, fotoacústica e características estruturais do semicondutor Zn₂TiO₄:Ni²⁺. 2020. 74 f. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Física Armando Dias Tavares, Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, 2020. |
Tipo de acesso: | Acesso Aberto |
URI: | http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/17062 |
Data de defesa: | 6-Mar-2020 |
Aparece nas coleções: | Doutorado em Física |
Arquivos associados a este item:
Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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Tese - Luiz Pedro Vieira Gomes - 2020 - Completa.pdf | 2,06 MB | Adobe PDF | Baixar/Abrir Pré-Visualizar |
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