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Tipo do documento: Tese
Título: Fotoluminescência, fotoacústica e características estruturais do semicondutor Zn₂TiO₄:Ni²⁺
Título(s) alternativo(s): Photoluminescence, photoacoustic and structural characteristics of the semiconductor Zn₂TiO₄:Ni²⁺
Autor: Gomes, Luiz Pedro Vieira 
Primeiro orientador: Sosman, Lilian Pantoja
Primeiro coorientador: Pedro, Sandra da Silva
Primeiro membro da banca: Fonseca, Raul José da Silva Câmara Maurício da
Segundo membro da banca: López Giménez, Ada Petronila
Terceiro membro da banca: Cella, Norberto
Quarto membro da banca: Gomes, Gustavo Foscolo de Moura
Quinto membro da banca: Dias Filho, Jose Higino
Resumo: Nessa tese é apresentada a síntese e a investigação de amostras cerâmicas semicondutoras do composto Zn₂TiO₄ contendo íons Ni²⁺ como impurezas. As amostras foram sintetizadas por reação de estado sólido entre os reagentes ZnO, TiO₂ e Ni(OH)₂. As fases cristalográficas foram identificadas através da Difração de Raios X e a caracterização óptica das amostras foi obtida com as técnicas de Fotoluminescência, Excitação e Fotoacústica, em temperatura ambiente e pressão atmosférica, com as quais foram determinados os níveis de energia e as respectivas transições, o tempo de decaimento da emissão, a eficiência quântica da luminescência, o tipo e a energia do gap do semicondutor.
Abstract: This thesis presents the synthesis and investigation of semiconductor ceramic samples of Zn₂TiO₄ compound containing Ni²⁺ ions as impurities. The samples were synthesized by solid state reaction between the reagents ZnO, TiO₂ and Ni(OH)₂. The crystallographic phases were identified through X-ray diffraction and the optical characterization of the samples was obtained with the techniques of Photoluminescence, Excitation and Photoacoustic, at room temperature and atmospheric pressure, with which the energy levels and the respective transitions, the time emission decay, the luminescence quantum efficiency and the type and energy of the semiconductor gap were determined.
Palavras-chave: Photoluminescence
Electronic excitation
Semiconductors
X-Ray Diffraction
Excitation
Ni²⁺
Fotoluminescência
Excitação eletrônica
Semicondutores
Raios X - Difração
Excitação
Ni²⁺
Área(s) do CNPq: CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA::ESTRUTURA DE LIQUIDOS E SOLIDOS; CRISTALOGRAFIA
Idioma: por
País: Brasil
Instituição: Universidade do Estado do Rio de Janeiro
Sigla da instituição: UERJ
Departamento: Centro de Tecnologia e Ciências::Instituto de Física Armando Dias Tavares
Programa: Programa de Pós-Graduação em Física
Citação: GOMES, Luiz Pedro Vieira. Fotoluminescência, fotoacústica e características estruturais do semicondutor Zn₂TiO₄:Ni²⁺. 2020. 74 f. Tese (Doutorado em Física) - Instituto de Física Armando Dias Tavares, Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, 2020.
Tipo de acesso: Acesso Aberto
URI: http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/17062
Data de defesa: 6-Mar-2020
Aparece nas coleções:Doutorado em Física

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